实验一 耿氏振荡器

　　一、实验目的 微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作 二、实验原理 A、Gunn 效应 又称电子迁移效应（1963 年 Gunn 发现） 。 直流电压加到硅材料上（如 GaAs 和 InP） ，在一定条件下呈现负阻特性，根据高 频电子技术课程中关于振荡器章节的知识，知负阻器件可实现调谐振荡电路，而微波 谐振电路典型的如谐振腔。 条件：保持加在半导体上的电压梯度超过 3000V/cm（电压门限） 。 B、Gunn 振荡器 1、结构和功能 2、性能参数 3、使用方法 三、仪器和设备 1、实验箱 2、电压表 3、电流表 4、功率计 四、实验步骤和结果 A、电流——电压关系特性 1、实验系统连接

　　2、测试过程 （1） 、电压调至 4V，可调衰减器调至 10dB，保证 Gunn 振荡器的隔离； （2） 、每次将电压调高 0.5V（最高不超过 10V） ，测量相应电流，并记录成表、绘制 为图。

　　2、测试过程 （1） 、打开功率表，校零 （2） 、电压调至 0V，可调衰减器调至 0dB； （3） 、每次将输入电压调高 0.5V（最高不超过 10V） ，测量相应输出功率，并记录成 表、绘制为图。 P P 注： log mW  dBm 1mW 10

　　2、测试过程 （1） 、Gunn 振荡器频率测量方法：固定输入电压，衰减器调至最大衰减，功率表打 至 1.0 量程，减小衰减，使功率表读书接近刻度的右侧约 0.8 至 1mW；慢慢调整频率 表， 观察功率表， 当功率表读数有大幅度下降时，频率表读数为 Gunn 振荡器的频率。 （2） 、电压调至刚刚可以产生振荡，即最低振荡电压； （3） 、每次增加 1V，最高不超过 10V，测出相应的频率（注意：频率表每个刻度是 10MHz） ，并记录成表、绘制为图。